N溝道增強(qiáng)型1A/600V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-09-06 10:16

海飛樂技術(shù)1N60AG是采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，它可以降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為SOT-223，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

1N60AG特點(diǎn)：
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻(Rdson≤10Ω)
低柵極電荷(4.7nC)
低反向傳輸電容(2.9pF)
100%單脈沖雪崩能量測試

1N60AG應(yīng)用：
適配器和充電器的電源開關(guān)電路

N溝道增強(qiáng)型1A/600V MOSFET絕對值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型1A/600V MOSFET電參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型1A/600V MOSFET特性曲線圖

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N溝道增強(qiáng)型1A/600V MOSFET