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N溝道增強(qiáng)型35A/600V MOSFET

作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2019-09-09 14:38

N溝道增強(qiáng)型35A/600V MOSFET
  海飛樂(lè)技術(shù)35N60AN是采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，它可以降低導(dǎo)通損耗，改善開(kāi)關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開(kāi)關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為T(mén)O-3P(N)，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
35N60AN特點(diǎn)：
快速開(kāi)關(guān)
ESD能力提升
低柵極電荷(140nC)
低反向傳輸電容(80pF)
100%單脈沖雪崩能量測(cè)試
 
35N60AN應(yīng)用：
電源開(kāi)關(guān)電路
 
N溝道增強(qiáng)型35A/600V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型35A/600V MOSFET絕對(duì)值參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型35A/600V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型35A/600V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型35A/600V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強(qiáng)型35A/600V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！



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