N溝道增強(qiáng)型40A/500V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時間：2019-09-05 11:35

海飛樂技術(shù)40N50AN是采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，它可以降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-3P，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

40N50AN特點(diǎn)：
ESD能力提升
快速開關(guān)
低柵極電荷(140nC)
低反向傳輸電容(80pF)
100%單脈沖雪崩能量測試

40N50AN應(yīng)用：
高壓AC DC電源

N溝道增強(qiáng)型40A/500V MOSFET絕對值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型40A/500V MOSFET電參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型40A/500V MOSFET特性曲線圖

海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！

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N溝道增強(qiáng)型40A/500V MOSFET