??N溝道增強(qiáng)型150A/40V MOSFET
作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2019-08-02 14:05
150N04A8特點(diǎn)：
快速開(kāi)關(guān)
低門電荷和導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測(cè)試
150N04A8應(yīng)用：
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
N溝道增強(qiáng)型150A/40V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型150A/40V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型150A/40V MOSFET特性曲線圖
在測(cè)量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測(cè)量方法。
(1)如同測(cè)量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端，減小地線的環(huán)路，從而減小空間耦合的干擾信號(hào)。
(2)帶寬的問(wèn)題，測(cè)量輸出電壓紋波的時(shí)候，通常用20MHZ的帶寬，但是，測(cè)量MOSFET的VDS電壓時(shí)候，用多少帶寬才是正確的測(cè)量方法?事實(shí)上，如果用不同的帶寬，測(cè)量到的尖峰電壓的幅值是不同的。具體原則是：
①確定被測(cè)量信號(hào)的最快上升Tr和下降時(shí)間Tf;
②計(jì)算最高的信號(hào)頻率：f=0.5/Tr，Tr取測(cè)量信號(hào)的10%~90%;f=0.4/Tr，Tr取測(cè)量信號(hào)的20%~80%;
③確定所需的測(cè)量精確度，然后計(jì)算所需的帶寬。
海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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