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N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET

作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2019-07-31 18:14

N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET 
  MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。
  海飛樂(lè)技術(shù)170N03AD，N溝道增強(qiáng)型MOSFET，電壓30V，電流170A，內(nèi)阻1.35mΩ。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻，低門(mén)電荷。它可以在各種各樣的應(yīng)用中使用。包裝形式為QFN 5×6，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
170N03AD特點(diǎn)：
RDS(ON) <1.65mΩ @VGS=10V  (Typ：1.35mΩ)
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
 
170N03AD應(yīng)用：
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
 
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET絕對(duì)值參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強(qiáng)型170A/30V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性?xún)r(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢(xún)與合作！



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