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N溝道增強型400A/40V MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時間:2019-08-05 18:03

N溝道增強型400A/40V MOSFET 
 
  MOSFET主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻,該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強型MOSFET必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOSFET。n溝道耗盡型MOSFET是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時,就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOSFET。
  海飛樂技術(shù)400N04A47,N溝道增強型MOSFET,電壓40V,電流400A,內(nèi)阻1.4mΩ。采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻,低門電荷。它可以在各種各樣的應(yīng)用中使用。包裝形式為TO-247,符合RoHS標準。
 
400N04A47
RDS(ON) <1.65mΩ @ VGS=10V (Typ:1.4mΩ)
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
 
400N04A47應(yīng)用:
電機
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
 
N溝道增強型400A/40V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型400A/40V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強型400A/40V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強型400A/40V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強型400A/40V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強型400A/40V MOSFET特性曲線圖 
 
MOSFET工作原理
  MOSFET的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時,溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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