??VS-FC420SA10現(xiàn)貨報(bào)價(jià)_參數(shù)_替換資料
作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2019-02-18 17:25
VS-FC420SA10
SOT-227封裝VS-FC420SA10功率模塊，采用ThunderFET®和TrenchFET®技術(shù)的單開(kāi)關(guān)功率MOSFET，電壓100V，電流435A，開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗較低，適用于各類工商業(yè)應(yīng)用。這些MOSFET模塊還包括采用全隔離式封裝并具有低導(dǎo)通電阻、動(dòng)態(tài)dV/dt額定值以及低漏極電容的功率MOSFET。這些功率MOSFET將快速開(kāi)關(guān)性能、堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻和高成本效益完美結(jié)合。
VS-FC420SA10特性
•ID>420 A，TC=25℃
•ThunderFET®功率MOSFET
•低輸入電容（cis）
•減少開(kāi)關(guān)頻率和損耗
•超低柵極電荷（QG）
•額定雪崩能量（Uis）
VS-FC420SA10技術(shù)參數(shù)
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: 分立半導(dǎo)體模塊
Vgs -柵極-源極電壓: 20 V
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/箱體: SOT-227-4
工作溫度范圍: - 55℃~+ 175℃
封裝: Tube
配置: Single
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
下降時(shí)間: 172ns
Id-連續(xù)漏極電流: 435 A
Pd-功率耗散: 652 W
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.15 mOhms
上升時(shí)間: 275 ns
工廠包裝數(shù)量: 160
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 152 ns
典型接通延遲時(shí)間: 45 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
單位重量: 30 g
VS-FC420SA10封裝尺寸
VS-FC420SA10替換資料
海飛樂(lè)技術(shù)100V/435A功率MOSFET，采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的可完全替換產(chǎn)品，和國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。我們期待您的咨詢與合作！
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