FA57SA50LC現(xiàn)貨報價_參數(shù)_替換資料

  MOSFET即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，即金屬氧化物合成半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管），屬于絕緣柵型。在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。
 
  MOSFET主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
 
FA57SA50LC
  FA57SA50LC是Vishay第三代高壓MOSFET模塊，采用SOT-227封裝的功率模塊，采用全隔離式封裝并具有低導(dǎo)通電阻、動態(tài)dV/dt額定值以及低漏極電容的功率MOSFET。提供快速切換時間，加固裝置設(shè)計，可降低熱電阻和能源損耗。適用于600W~1000W的工商業(yè)應(yīng)用。
 
FA57SA50LC特性
SOT-227封裝
全隔離式封裝
簡單易用，并聯(lián)工作
低導(dǎo)通電阻
動態(tài)dV/dt額定值
完全雪崩額定值
驅(qū)動要求簡單
低漏極電容
符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計
VS-FCx單開關(guān)功率MOSFET：
較低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗
 
FA57SA50LC技術(shù)參數(shù)資料
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 符合  
技術(shù): Si
電壓：500V
電流：72A
安裝風(fēng)格: Chassis Mount
封裝/箱體: SOT-227-4
封裝: Tube
高度: 12.3 mm  
長度: 38.3 mm  
系列: VS-FA  
寬度: 25.7 mm  
工廠包裝數(shù)量: 160  
子類別: MOSFETs  
單位重量: 30 g
 
FA57SA50LC封裝尺寸

 
FA57SA50LC替換資料
  海飛樂技術(shù)500V/72A高壓MOSFET，采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的可完全替換產(chǎn)品，和國外進(jìn)口產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點(diǎn)。我們期待您的咨詢與合作！  
 
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