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N溝道6A/1500V高壓增強(qiáng)型MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時(shí)間:2020-09-04 15:23

N溝道6A/1500V高壓增強(qiáng)型MOSFET 
  海飛樂6N150AHF,硅N溝道6A/1500V高壓增強(qiáng)型MOSFET,采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù),降低了導(dǎo)通損耗,改善了開關(guān)性能,提高了雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路,使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為TO-3PH,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
6N150AHF點(diǎn)
快速切換
低導(dǎo)通電阻
門控電荷低,開關(guān)損耗小
快恢復(fù)體二極管
100%單脈沖雪崩能量試驗(yàn)
 
6N150AHF應(yīng)用:
適配器
充電器
SMPS備用電源
 
6N150AHF絕對(duì)值參數(shù)
6N150AHF絕對(duì)值參數(shù) 
 
N溝道6A/1500V高壓增強(qiáng)型MOSFET參數(shù)
N溝道6A/1500V高壓增強(qiáng)型MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道6A/1500V高壓增強(qiáng)型MOSFET特性曲線圖
N溝道6A/1500V高壓增強(qiáng)型MOSFET特性曲線圖 
 
MOSFET的TO封裝形式
  不同的封裝形式,MOS管對(duì)應(yīng)的極限電流、電壓和散熱效果都會(huì)不一樣,簡(jiǎn)單介紹如下。
  TO-3P/3PH/247:是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式,產(chǎn)品具有耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等特點(diǎn),適于中壓大電流(電流10A以上、耐壓值在100V以下)在120A以上、耐壓值200V以上的場(chǎng)所中使用。
  TO-220/220F:這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多,可以互換使用,不過TO-220背部有散熱片,其散熱效果比TO-220F要好些,價(jià)格相對(duì)也要貴些。這兩個(gè)封裝產(chǎn)品適于中壓大電流120A以下、高壓大電流20A以下的場(chǎng)合應(yīng)用。
  TO-251:該封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積,主要應(yīng)用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境中。
  TO-263:是TO-220的一個(gè)變種,主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計(jì),支持極高的電流和電壓,在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。
  TO-252:是目前主流封裝之一,適用于高壓在7N以下、中壓在70A以下環(huán)境中。
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國(guó)外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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