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66A/500V超結(jié)N溝道功率MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時間:2020-08-11 15:08

66A/500V超結(jié)N溝道功率MOSFET 
  海飛樂技術(shù)FN66N50A是采用自對準(zhǔn)超結(jié)技術(shù)的硅N溝道功率MOSFET,它可以降低導(dǎo)通損耗,改善開關(guān)性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路,使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為SOT-227B,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
FN66N50A點(diǎn)
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻
低柵極電荷
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
 
FN66N50A應(yīng)用:
開關(guān)電源(SMPS)
不間斷電源(UPS)
功率因數(shù)校正(PFC)
 
66A/500V超結(jié)N溝道功率MOSFET絕對值參數(shù)
66A/500V超結(jié)N溝道功率MOSFET絕對值參數(shù) 
 
66A/500V超結(jié)N溝道功率MOSFET電參數(shù)
66A/500V超結(jié)N溝道功率MOSFET電參數(shù) 
 
66A/500V超結(jié)N溝道功率MOSFET特性曲線圖
66A/500V超結(jié)N溝道功率MOSFET特性曲線圖 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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