23A/1200V高壓MOSFET替換APT22F120B2

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-11-20 17:37

海飛樂23N120A47，硅N溝道23A/1200V增強(qiáng)型VDMOSFET，采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)，降低了導(dǎo)通損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-247，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

23N120A47特點(diǎn)：
ESD能力提升
快速開關(guān)
低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測(cè)試

23N120A47應(yīng)用：
電源開關(guān)電路

23A/1200V高壓MOSFET絕對(duì)值參數(shù)

23A/1200V高壓MOSFET電特性

23A/1200V高壓MOSFET特性曲線

海飛樂23N120A47可完全替換APT22F120B2。
APT22F120B2技術(shù)參數(shù)
FET類型：N溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25℃時(shí)）：23A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）Max：5V @ 2.5mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）Max：260nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）Max：8370pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：1040W（Tc）
不同 Id，Vgs時(shí)的 RdsOn（最大值）：700mΩ @ 12A，10V
工作溫度：-55℃~ 150℃（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3 變式
封裝形式Package：T-MAX
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：1200V
連續(xù)漏極電流ID：23A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！

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