N溝道5A/1200V增強(qiáng)型MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時間：2019-11-18 17:32

海飛樂5N120FA9，硅N溝道5A/1200V增強(qiáng)型MOSFET，采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)，降低了導(dǎo)通損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-220F，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

5N120FA9特點：
快速切換
低導(dǎo)通電阻
門控電荷低，開關(guān)損耗小
快速恢復(fù)體二極管
100%單脈沖雪崩能量試驗

5N120FA9應(yīng)用：
適配器
充電器
SMPS備用電源

N溝道5A/1200V增強(qiáng)型MOSFET絕對值參數(shù)

N溝道5A/1200V增強(qiáng)型MOSFET電參數(shù)

N溝道5A/1200V增強(qiáng)型MOSFET特性曲線圖

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N溝道5A/1200V增強(qiáng)型MOSFET