IRFB4227PBF現(xiàn)貨參數(shù)應(yīng)用及PDF資料下載

IRFB4227PBF應(yīng)用
  IRFB4227PBF是HEXFET功率MOSFET，專(zhuān)門(mén)為等離子體顯示板中能量回收開(kāi)關(guān)的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這種MOSFET采用最新處理技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和低脈沖額定值。這種MOSFET的附加特性是175℃工作結(jié)溫度和高重復(fù)峰值電流能力。這些特性結(jié)合在一起，使這種MOSFET成為一種高效、耐用和可靠的PDP驅(qū)動(dòng)設(shè)備。
 
IRFB4227PBF特性
先進(jìn)工藝技術(shù)
優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù)
低導(dǎo)通柵極電荷，快速響應(yīng)
高重復(fù)峰值電流能力，可靠運(yùn)行
短下降和上升時(shí)間，快速切換
175℃工作結(jié)溫度，提高耐用性
魯棒性和可靠性的重復(fù)雪崩能力
D類(lèi)音頻放大器300W-500W（半橋）
 
IRFB4227PBF基本參數(shù)
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS: 符合
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:65 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:24 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓:±30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
Qg-柵極電荷:70 nC
工作溫度范圍:- 40℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:330 W
尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
正向跨導(dǎo)-最小值:49 S
下降時(shí)間:31 ns
上升時(shí)間:20 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:21 ns
典型接通延遲時(shí)間:33 ns
單位重量:6 g
 
IRFB4227PBF電力特性

 
IRFB4227PBF特性曲線圖  
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