二極管正向導通后兩端的電壓是多少？

  二極管有導通和截止兩種工作狀態(tài)。而且導通和截止有一定的工作條件。如果給二極管的正極加上高于負極的電壓，稱為二極管的正向偏置電壓，當該電壓達到一定數值時二極管導通，導通后二極管相當于一個導體，電阻很小，相當于接通，如圖所示。

 
  當二極管兩端外加電壓發(fā)生變化時，一方面PN結寬窄變化，勢壘區(qū)內的施主陰離子和受主陽離子數量會改變；另一方面擴散的多子和漂移的少子數量也會因電壓變化而改變。這種情況與電容的作用類似，分別用勢壘電容和擴散電容來表示。當二極管兩端外加正向電壓時，它削弱PN結的內電場，擴散運動加強，漂移運動減弱，擴散和漂移的動態(tài)平衡被破壞，擴散運動大于漂移運動，結果導致P區(qū)的多子空穴流向N區(qū)，N區(qū)的多子電子流向P區(qū)，進入P區(qū)的電子和進入N區(qū)的空穴分別成為該區(qū)的少子，因此，在P區(qū)和N區(qū)的少子比無外加電壓時多，這些多出來的少子稱為非平衡少子。
　　
  在正向電壓作用下，P區(qū)空穴越過PN結，在N區(qū)的邊界上進行積累，N區(qū)電子越過PN結，在P區(qū)的邊界上進行積累，這些非平衡少子依靠積累時濃度差在N區(qū)進行擴散，形成一定的濃度梯度發(fā)布，靠近邊界濃度高，遠離邊界濃度低。空穴在向N區(qū)擴散過程中，部分與N區(qū)中的多子電子相遇而復合，距離PN結邊界越遠，復合掉的空穴就越多。反之亦然，電子在向P區(qū)擴散過程中，部分電子與P區(qū)中的多子空穴相遇而復合，距離PN結邊界越遠，復合掉的電子就越多。二極管正向導通時，非平衡少數載流子就會在邊界附近積累，產生電荷存儲效應。
 
  二極管導通后，在回路中的電流流向是從正極流向負極，不能從負極流向正極，否則二極管已經損壞。
 
  二極管導通的條件：
  正向偏置電壓,正向偏置電壓大到一定程度，對于硅管而言0.7V，對于鍺管而言為0.2V。
 
  對于一個硅二極管正向電壓大于0.5V的時候，就會有正向電流。通常情況下，硅二極管正向電壓不會超過0.7V。那如果在這個二極管兩端加上10V的電壓，那么此時經過電源內阻限流后，電流超過了此二極管所能承受的最大電流，二極管就被燒毀了！不超過二極管的允許最大電流，那么肯定是電源有內阻承擔了另外過多的電壓。此時二極管的電壓肯定是0.7V。它的作用和穩(wěn)壓管類似，只要符合了穩(wěn)壓管的條件它就穩(wěn)壓，超過了或者不穩(wěn)壓，或者被燒毀。如果是一個能力特別強的電源，比如是理想電源，那么二極管肯定是被擊穿的。也就是，在二極管沒有被擊穿的情況下，這個硅二極管兩端的電壓一般就是0.5V-0.7V左右了。這就是導通后的穩(wěn)壓特性了。如果沒有電阻或者其它的器件為它承擔多余的電壓，它肯定會被擊穿或者燒毀。



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