快恢復二極管失效模式分析與處理方式

  快恢復二極管失效模式(一)——電壓擊穿
 
  位置：基本上出現(xiàn)在芯片邊、角；
  原因：線路中出現(xiàn)了超過器件擊穿電壓的尖峰電壓，器件沒挺住，這種失效在肖特基中極為普遍；
  解決措施：
  1、客戶改進吸收電路，把經(jīng)過器件的尖峰電壓降下來、
  2、提高器件的雪崩耐量(UIS)。
 
  快恢復二極管失效模式(二)——電流擊穿
 
  位置：芯片中部；
  原因：過熱；
  解決措施：
  1、并聯(lián)應用要解決均流效應；（采取限流措施：采用正溫度系數(shù)器件、VF均勻的器件）
  2、留有足夠的電流余量；
  器件熱量來源：總熱量Q=Q1+Q2
  Q1——由VF產(chǎn)生的靜態(tài)導通損耗；
  Q2——由trr（Qrr）產(chǎn)生的動態(tài)開關損耗；
  •高頻使用時Q2>Q1，應選擇速度快的器件，適當放寬VF（比如切割機、MOS焊機）。
  •低頻使用時Q1>Q2，應選擇VF盡量低的器件（比如變頻器、IGBT焊機）。



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