快速軟恢復(fù)二極管設(shè)計(jì)制作的技術(shù)難點(diǎn)有哪些？

 接觸的實(shí)現(xiàn)
  為了滿足芯片與底座間的電學(xué)和散熱的要求，要在二極管的兩端實(shí)現(xiàn)歐姆接觸。由于快速軟恢復(fù)二極管的陽(yáng)極和陰極都具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)和較淺的擴(kuò)散深度，大功率器件的傳統(tǒng)歐姆接觸工藝——燒結(jié)工藝將會(huì)破壞這種結(jié)構(gòu)及期望的性能。解決這一問(wèn)題的方法是采用多層金屬的歐姆接觸工藝。二極管陽(yáng)極與陰極采用多層金屬工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)歐姆接觸是本課題的難點(diǎn)之一，也是重點(diǎn)之一。在現(xiàn)有的理論及實(shí)踐的基礎(chǔ)上，不斷完善其工藝流程，從而提高二極管的性能和成品率。
  快速軟恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
  在已有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)二極管的陽(yáng)極、陰極結(jié)構(gòu)參數(shù)來(lái)改善其反向恢復(fù)特性，減小恢復(fù)時(shí)間，提高軟度因子。
  P+的選擇擴(kuò)散
  在SIOD結(jié)構(gòu)中，二極管的陽(yáng)極采用密度很大的P+島的設(shè)計(jì)方法，因而不僅要制作出精密的掩膜板，更重要的是需要建立一套比較完善的硼擴(kuò)散系統(tǒng)，摸索出一套行之有效的硼擴(kuò)散工藝，以實(shí)現(xiàn)硼的掩蔽擴(kuò)散。

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