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N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET

作者:海飛樂技術 時間:2020-03-20 17:38

N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET 
  海飛樂技術D1515是采用自對準平面技術的硅N溝道耗盡型MOSFET,它可以降低導通損耗,改善開關性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于開關啟動保護,使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為SOT-23,符合RoHS和無鹵素標準。
 
D1515
N-通道
ESD改善能力
耗盡型
額定dv/dt
無鉛電鍍;符合RoHS標準
無鹵
 
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET電參數(shù)
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET特性曲線圖
N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優(yōu)質、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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