N溝道增強(qiáng)型18A/300V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時間：2019-12-27 18:24

海飛樂技術(shù)18N30A8是采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，它可以降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-220AB，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

18N30A8特點：
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻(Rdson≤0.22Ω)
低柵極電荷
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試

18N30A8應(yīng)用：
轉(zhuǎn)換器
充電器
高壓AC DC電源

N溝道增強(qiáng)型18A/300V MOSFET絕對值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型18A/300V MOSFET電參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型18A/300V MOSFET特性曲線圖

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N溝道增強(qiáng)型18A/300V MOSFET