??P溝道增強(qiáng)型4A/30V功率MOSFET
作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-11-22 11:43
3401K特點(diǎn)：
RDS(ON) <55m? @ VGS=10V
超低導(dǎo)通損耗的高密度單元設(shè)計(jì)
完全表征的雪崩電壓和電流
極好的散熱封裝
3401K應(yīng)用：
電源開關(guān)
硬開關(guān)高頻電路
不間斷電源
逆變、保護(hù)、信號(hào)、小電機(jī)
P溝道增強(qiáng)型4A/30V功率MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
P溝道增強(qiáng)型4A/30V功率MOSFET電參數(shù)
P溝道增強(qiáng)型4A/30V功率MOSFET特性曲線圖
海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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