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N溝道增強型25A/500V MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時間:2019-09-02 11:05

N溝道增強型25A/500V MOSFET 
  海飛樂技術(shù)25N50AN是采用自對準平面技術(shù)的硅N溝道增強型VDMOSFET,它可以降低導(dǎo)通損耗,改善開關(guān)性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路,使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為TO-3P,符合RoHS標準。
 
25N50AN
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻(0.145Ω)
低柵極電荷
最小化開關(guān)損耗
快速恢復(fù)體二極管
100%單脈沖雪崩能量測試
 
25N50AN應(yīng)用:
適配器
充電器
SMPS備用電源
 
N溝道增強型25A/500V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型25A/500V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強型25A/500V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強型25A/500V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強型25A/500V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強型25A/500V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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