??N溝道38A/1000V增強(qiáng)型MOSFET
作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-05-31 17:39
38N100A特點(diǎn)：
快速切換
ESD能力提升
低門電荷
反向傳輸能力低
100%單脈沖雪崩能量試驗(yàn)
38N100A應(yīng)用：
電源開關(guān)電路
N溝道38A/1000V增強(qiáng)型MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道38A/1000V增強(qiáng)型MOSFET特性曲線圖
MOSFET的防靜電使用技巧
一般在MOSFET的使用過程中都非常注意防靜電破壞。MOSFET 的柵極-源極間最大額定電壓約為±20V,如果驅(qū)動(dòng)電壓超出這個(gè)范圍,就很有可能永久損壞MOSFET,主要是因?yàn)镸OSFET 輸入阻抗大特點(diǎn),電荷不能及時(shí)的流走,積聚在門極(G),就會(huì)造成Vgs大于這個(gè)±20V 的范圍,這時(shí)候MOSFET 就可能損壞。這就是為什么一定不準(zhǔn)用手去摸MOSFET 的引腳的原因,手上的靜電高達(dá)千伏,MOSFET 一下子就被擊穿了。
記住,不要用手拿住MOSFET 的腿,不然可很不專業(yè)。為了防止MOSFET 被靜電破壞,大家也是費(fèi)盡腦汁,除了嚴(yán)格按照規(guī)章制度外,帶上放電手套,電烙鐵接地等等都是必要的。
靜電問題往往是MOSFET 的薄弱處。在電路設(shè)計(jì)中應(yīng)該怎么來保護(hù)MOSFET 呢?既然Vgs 不能大于20V,那我們就可以在G 和S 之間,加一個(gè)20V的穩(wěn)壓管,來防止干擾脈沖或是靜電破壞MOSFET。
海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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